-
1 концентрация неосновных электронов
Dictionnaire technique russo-italien > концентрация неосновных электронов
-
2 концентрация
ж.1) ( процесс) concentrazione f, concentramento m ( см. тж концентрирование)2) ( степень содержания) concentrazione f- весовая концентрация
- концентрация водородных ионов
- концентрация в поле силы тяжести
- галактическая концентрация
- гравитационная концентрация
- концентрация дырок
- избыточная концентрация
- концентрация ионов
- концентрация кислорода
- конечная концентрация
- критическая концентрация
- концентрация легирующей добавки
- магнитная концентрация
- максимальная концентрация
- максимально допустимая концентрация
- минимальная концентрация
- молекулярная концентрация
- мольная концентрация
- моляльная концентрация
- молярная концентрация
- концентрация напряжения
- начальная концентрация
- концентрация нейтронов
- неравновесная концентрация
- нормальная концентрация
- концентрация неосновных электронов
- концентрация носителей зарядов
- объёмная концентрация
- концентрация основных электронов
- предельно допустимая концентрация
- концентрация примесей
- равновесная концентрация
- концентрация радиоизотопов
- концентрация раствора
- смертельная концентрация
- средняя концентрация
- концентрация средств производства
- удельная концентрация
- эвтектическая концентрация
- эквивалентная концентрация
- концентрация электронов
- электростатическая концентрация -
3 концентрация
ж.concentration; density- безопасная концентрация
- весовая концентрация
- галактическая концентрация
- допустимая концентрация
- избыточная концентрация
- избыточная поверхностная концентрация
- изотопная концентрация
- интегральная концентрация
- исходная концентрация
- концентрация акцепторов
- концентрация в активной зоне
- концентрация в зоне воспроизводства
- концентрация в шламе
- концентрация вакансий
- концентрация дефектов
- концентрация дислокаций
- концентрация доноров
- концентрация дырок
- концентрация заряженных частиц
- концентрация избыточных носителей
- концентрация ионов
- концентрация легирующей примеси
- концентрация ловушек
- концентрация молекул
- концентрация напряжений
- концентрация нейтронов
- концентрация неосновных носителей
- концентрация неравновесных носителей
- концентрация носителей
- концентрация основных носителей
- концентрация примесей
- концентрация раствора
- концентрация свободных носителей
- концентрация частиц
- концентрация экситонов
- концентрация электронов
- критическая концентрация мицеллообразования
- критическая концентрация
- летальная концентрация примесей
- локальная концентрация
- максимально допустимая концентрация
- массовая концентрация
- местная концентрация
- молекулярная концентрация
- мольная концентрация
- моляльная концентрация
- молярная концентрация
- необнаруживаемая концентрация
- неравновесная концентрация
- ничтожная концентрация
- ничтожно малая концентрация
- объёмная концентрация ионов
- объёмная концентрация
- относительная концентрация
- парциальная концентрация
- поверхностная концентрация
- полная концентрация
- предельно допустимая концентрация
- произвольная концентрация
- равновесная концентрация ксенона
- равновесная концентрация плутония
- равновесная концентрация
- радиоизотопная концентрация
- удельная концентрация
- эквивалентная концентрация
- экологическая концентрация
- электронная концентрация
См. также в других словарях:
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… … Энциклопедический словарь
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия